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数控母线加工机博通摘:去耦电容和旁路电容的区别

来源:福建塔罗科电子设备有限企业 发布时间:2020-07-06 点击次数:

     在逆变器的内部电路的去耦和旁路电容的存在。旁路电容不是一个理论概念,而是一种实用的方法常用在50 - - 60年代,这个词也有其独特的意义,现在已经很少使用。需要管或晶体管偏置,所述条件被确定的直流电源工作点。如相对于所述阴极管的栅极,通常需要施加负压,以便操作一个直流电源,在阴极至接地的串联电阻,阴极使用正电位对地流形成, DC接地的栅极,此偏置技术被称为“自偏置”,但(AC)信号,这是在同一时间的负反馈中,为了消除这种影响,它是在平行于该电阻足够大的容量点,被称为未来路电容。后来,它延伸并在类似情况下使用的一些信息。

    所述集成电路之间的去耦电容器具有电源和接地两个作用:一个是这个集成电路的存储电容器,在另一方面旁路器件的高频噪声。数字电路的典型的去耦电容值为0.1μF。典型数值为电容分布电感5μH。 0.1μF的去耦电容具有分布式电感5μH,并在其并联谐振频率大约7MHz的,即,10MHz以下为更好的噪声的去耦,噪声的40MHz以上的效果少。 1μF,10μF电容,20MHz以上并联谐振频率,该高频噪声去除效果更好。大约10%的集成电路添加一个充电和放电电容器或存储电容器,任选约10μF。优选无电解电容,电解电容器是卷起两个膜,卷起配置,例如在电感器的在高频率的性能。使用聚碳酸酯或钽电容。去耦电容的选择不是关键的,可以是C = 1 / F,即10MHz的取0.1μF,100MHz的取0.01μF。

    通常,容量UF电容器,诸如电解或钽电容器的电平,电感他的大,共振频率小,良好的低频信号,并将该高频信号呈现强电感,阻抗的同时可见,大的电容还可以用于局部电荷细胞,可以通过本地电源可以减少干扰向外耦合;容量0.0010.1uF的电容,通常陶瓷或云母电容器,电感小,共振频率的高阻抗的高频信号是小的,它可以提供用于高频率的干扰信号的旁路,耦合到减少对外部干扰本地

    是旁路的前级或噪声的高频电源或信号进行滤波;去耦保正的输出(主要为设备的操作),并设置“小池塘”,工作在其它大电流稳定的输出当电源,以确保不影响电路的操作的变动幅度;添加耦合被称为:信号而不影响静态工作点的电平的前部和后级部件彼此之间传输

    高频开关噪声产生时沿电源线有源器件开关传播。去耦电容的主要功能是提供一个局部的直流电源的有源器件中的导板,以降低开关噪声和噪声传播到地。

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